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J-GLOBAL ID：200902165186929790   Reference number：00A0378914

Atomic Layer Deposition of Tungsten Nitride Films Using Sequential Surface Reactions.

逐次表面反応による窒化タングステン皮膜の原子層析出

Author (3)： KLAUS J W (Univ. Colorado, Colorado, USA) ,  FERRO S J (Univ. Colorado, Colorado, USA) ,  GEORGE S M (Univ. Colorado, Colorado, USA)
Material： Journal of the Electrochemical Society  (J Electrochem Soc)
Volume： 147  Issue： 3  Page： 1175-1181  Publication year： Mar. 2000 
JST Material Number： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： nitride ,...
Semi thesaurus term： AFM【顕微鏡】 ,...

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Materials of solid-state devices  (NC03020K)

Terms in the title (5)： 表面反応 ,  窒化タングステン ,  皮膜 ,  原子層 ,  析出