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J-GLOBAL ID：200902165193462325   Reference number：01A0628638

GaAs MOSFET’s Fabrication with a Selective Liquid Phase Oxidized Gate.

選択液相酸化ゲートを有するGaAs MOSFETの作製

Author (4)： WU J-Y (National Cheng-Kung Univ., Tainan, TWN) ,  WANG H-H (National Cheng-Kung Univ., Tainan, TWN) ,  WANG Y-H (National Cheng-Kung Univ., Tainan, TWN) ,  HOUNG M-P (National Cheng-Kung Univ., Tainan, TWN)
Material： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Trans Electron Devices)
Volume： 48  Issue： 4  Page： 634-637  Publication year： Apr. 2001 
JST Material Number： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MOSFET ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (5)： 液相酸化 ,  ゲート ,  GaAs ,  MOSFET ,  作製