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J-GLOBAL ID：200902165195127116   Reference number：94A0893871

Effect of residual AsH3 gas on desorption of As atoms from GaAs surface during atomic layer epitaxy.

単原子層成長におけるGaAs表面からのAs脱離とAsH₃残留の影響

Author (4)： SAKAMOTO AKIRA (富士ゼロックス) ,  OTAKE SHIGEYUKI (富士ゼロックス) ,  YAMAMOTO MASAO (富士ゼロックス) ,  IWASA IZUMI (富士ゼロックス)
Material： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
Volume： 55th  Issue： 1  Page： 237  Publication year： Sep. 1994 
JST Material Number： Y0055A  Document type： Proceedings
Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Terms in the title (6)： 単原子層 ,  成長 ,  GaAs ,  脱離 ,  AsH3 ,  残留