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J-GLOBAL ID：200902165197021323   Reference number：94A0179772

Supression of Inverse Narrow Channel Effect in Trench Isolated MOSFETs by the Optimization of Buried Oxide Form.

トレンチ分離における埋め込み酸化膜形状最適化による逆狭チャネル効果の低減

Author (5)： SHIBAHARA KENTARO (日本電気) ,  IWAO SHOICHI (日本電気) ,  HAMADA MASAYUKI (日本電気) ,  OIKAWA RYUICHI (日本電気) ,  OYA SHUICHI (日本電気)
Material： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
Volume： 54th  Issue： 2  Page： 684  Publication year： Sep. 1993 
JST Material Number： Y0055A  Document type： Proceedings
Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Terms in the title (4)： トレンチ ,  埋め込み酸化膜 ,  形状最適化 ,  チャネル