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J-GLOBAL ID：200902212375183861   Reference number：07A1203803

AlGaN/GaN HEMTs with PAE of 53% at 35GHz for HPA and Multi-Function MMIC Applications

HPAおよび多機能MMICアプリケーションのための35GHzで53%のPAEを持つAlGaN/GaN HEMT

Author (5)： KAO Ming-Yih (TriQuint Semiconductor, Texas, USA) ,  LEE Cathy (TriQuint Semiconductor, Texas, USA) ,  HAJJI Rached (TriQuint Semiconductor, Texas, USA) ,  SAUNIER Paul (TriQuint Semiconductor, Texas, USA) ,  TSERNG Hua-Quen (TriQuint Semiconductor, Texas, USA)
Material： IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest  (IEEE MTT-S International Microwave Symposium)
Volume： 2007 Vol.2  Page： 627-629  Publication year： 2007 
JST Material Number： A0636A  ISSN： 0149-645X  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *HEMT ,...
Semi thesaurus term： AlGaN ,...

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JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  Microwave and millimeterwave communication  (ND08020W)

Terms in the title (8)： HPA ,  多機能 ,  MMIC ,  アプリケーション ,  PAE ,  AlGaN ,  GaN ,  HEMT