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J-GLOBAL ID：200902212376297038   Reference number：07A0743343

Non-Classical Hot-Electron Gate Current in the Deep Submicrometer N-MOS Flash Memory Cell

ディープサブミクロンN-MOSフラッシュメモリセルの非古典的ホットエレクトロンゲート電流

Author (4)： ZHANG Y. (Nanyang Technological Univ., Singapore) ,  ANG D.S. (Nanyang Technological Univ., Singapore) ,  KUAN H.P. (Systems-on-Silicon Manufacturing Co., Singapore) ,  TAN K.T. (Systems-on-Silicon Manufacturing Co., Singapore)
Material： Proceedings of the International Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits  (Proceedings of the International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits)
Volume： 13th  Page： 74-78  Publication year： 2006 
JST Material Number： W1259A  ISSN： 1946-1542  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *flash memory ,...
Semi thesaurus term： memory cell ,...

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JST classification (2)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T) ,  Measurement,testing and reliability of solid-state devices  (NC03040G)

Terms in the title (6)： ディープサブミクロン ,  MOS ,  フラッシュメモリ ,  セル ,  ホットエレクトロン ,  ゲート電流