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J-GLOBAL ID：200902212377998650   Reference number：09A0849843

Modelling vacuum ultraviolet photon penetration depth and C=O bond depletion in 193 nm photoresist

193nmフォトレジスト中の真空紫外光子の透過深度とC=O結合欠乏のモデリング

Author (3)： TITUS Monica J (Univ. California, CA, USA) ,  NEST Dustin G (Univ. California, CA, USA) ,  GRAVES David B (Univ. California, CA, USA)
Material： Journal of Physics. D. Applied Physics  (J Phys D)
Volume： 42  Issue： 15  Page： 152001,1-4  Publication year： Aug. 07, 2009 
JST Material Number： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： vacuum ultraviolet radiation ,  semiconductor process ,  surface treatment ,  *ultraviolet irradiation ,  C-O bond ,  C-C bond ,  cross section(area) ,  optical absorption ,  *photoresist ,  wafer ,  vacuum ultraviolet spectrum ,  modeling ,  *optical transmission ,  inductively coupled plasma
Semi thesaurus term： absorption cross section ,  透過深度

JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (6)： フォトレジスト ,  光子 ,  透過 ,  深度 ,  欠乏 ,  モデリング