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J-GLOBAL ID：200902212381868949   Reference number：08A0441350

Siバルク多結晶中の亜粒界の電気的特性評価

Author (5)： KUTSUKAKE KENTARO (東北大 金属材料研) ,  OTANIUCHI TSUYOSHI (東北大 金属材料研) ,  USAMI NORITAKA (東北大 金属材料研) ,  FUJIWARA KOZO (東北大 金属材料研) ,  NAKAJIMA KAZUO (東北大 金属材料研)
Material： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
Volume： 55th  Issue： 3  Page： 1526  Publication year： Mar. 27, 2008 
JST Material Number： Y0054A  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *subboundary ,  electrical property ,  *solar cell ,  crystal grain size(diameter) ,  energy conversion efficiency ,  X-ray diffraction ,  minority carrier ,  diffusion length ,  *polysilicon

JST classification (2)： Solar cell  (NC03084O) ,  Materials of solid-state devices  (NC03020K)

Terms in the title (6)： Si ,  バルク ,  多結晶 ,  亜粒界 ,  電気的特性 ,  評価