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J-GLOBAL ID：200902212383834693   Reference number：08A0288312

低周波インピーダンス特性制御によるHBT電力増幅器の熱メモリ効果IMD3の非対称性補償

Author (3)： TAKAHASHI YUKIO (電通大 先端ワイヤレスコミュニケーション研究セ) ,  ISHIKAWA RYO (電通大 先端ワイヤレスコミュニケーション研究セ) ,  HONJO KAZUHIKO (電通大 先端ワイヤレスコミュニケーション研究セ)
Material： 電子情報通信学会大会講演論文集  (電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集)
Volume： 2008  Issue： エレクトロニクス1  Page： 74  Publication year： Mar. 05, 2008 
JST Material Number： G0508A  ISSN： 1349-1369  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *HBT ,  *power amplifier ,  *microwave ,  radio transmission ,  base station ,  linearity ,  distortion correction ,  *internal heat generation ,  *memory effect ,  asymmetry ,  compensation effect ,  modulation distortion ,  computer simulation ,  control
Semi thesaurus term： impedance control ,  *memory effect ,  IMD

JST classification (2)： Amplification circuits  (NC05040U) ,  Thermal conduction  (PA02020Z)

Terms in the title (7)： 低周波 ,  インピーダンス特性 ,  HBT ,  電力増幅器 ,  メモリ効果 ,  非対称性 ,  補償