Art

J-GLOBAL ID：200902212389140944   Reference number：04A0071014

Review and future prospects of low-voltage RAM circuits.

低電圧RAM回路のレビューと将来予想

Author (4)： NAKAGOME Y (Renesas Technol. Corp., Tokyo, JPN) ,  HORIGUCHI M (Renesas Technol. Corp., Tokyo, JPN) ,  KAWAHARA T (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  ITOH K (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
Material： IBM Journal of Research and Development  (IBM J Res Dev)
Volume： 47  Issue： 5/6  Page： 525-552  Publication year： Sep. 2003 
JST Material Number： D0061B  ISSN： 0018-8646  CODEN： IBMJAE  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *RAM ,...
Semi thesaurus term： low voltage

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=04A0071014&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=D0061B") }}

JST classification (1)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T)

Terms in the title (5)： 低電圧 ,  RAM ,  レビュー ,  将来 ,  予想