Art

J-GLOBAL ID：200902212390614720   Reference number：05A0494591

Dislocation-Free In_xGa_1-xP_1-yN_y/GaP_1-zN_z Double-Heterostructure Light Emitting Diode on Si Substrate

Si基板上の転移のないIn_xGa_1-xP_1-yN_y/GaP_1-zN_zの二重ヘテロ構造の光放射ダイオード

Author (6)： MOON Soo Young (Toyohashi Univ. Technol., Aichi, JPN) ,  YONEZU Hiroo (Toyohashi Univ. Technol., Aichi, JPN) ,  FURUKAWA Yuzo (Toyohashi Univ. Technol., Aichi, JPN) ,  KIM Sung Man (Toyohashi Univ. Technol., Aichi, JPN) ,  MORITA Yoshiro (Toyohashi Univ. Technol., Aichi, JPN) ,  WAKAHARA Akihiro (Toyohashi Univ. Technol., Aichi, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 44  Issue： 4A  Page： 1752-1755  Publication year： Apr. 15, 2005 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： heterojunction ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=05A0494591&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=G0520B") }}

JST classification (1)： Light emitting devices  (NC03082G)

Reference (18)：

• 1) I. Hayashi: Jpn. J. Appl. Phys. 32 (1993) 266.
• 2) H. Yonezu: Semicond. Sci. Technol. 17 (2002) 762.
• 3) R. D. Dupuis and C. J. Pinzone: J. Cryst. Growth 93 (1988) 434.
• 4) T. Egawa, Y. Hasegawa, T. Jimbo and M. Umeno: Jpn. J. Appl. Phys. 31 (1992) 791.
• 5) R. L. Hartman and A. R. Hartman: Appl. Phys. Lett. 23 (1973) 147.

Terms in the title (4)： Si基板 ,  ヘテロ構造 ,  光放射 ,  ダイオード