Art

J-GLOBAL ID：200902212398192108   Reference number：05A0897233

Threshold Current Characteristics of Intracavity-contacted Vertical-cavity Surface-emitting Laser

空洞共振器内電極を備えた垂直共振器形面発光レーザのしきい電流特性

Author (7)： QU Hong-Wei (Beijing Univ. Technol., Beijing, CHN) ,  GUO Xia (Beijing Univ. Technol., Beijing, CHN) ,  DONG Li-Min (Beijing Univ. Technol., Beijing, CHN) ,  DENG Jun (Beijing Univ. Technol., Beijing, CHN) ,  LIAN Peng (Beijing Univ. Technol., Beijing, CHN) ,  ZHOU De-Shu (Beijing Univ. Technol., Beijing, CHN) ,  SHEN Guang-Di (Beijing Univ. Technol., Beijing, CHN)
Material： Semiconductor Photonics and Technology  (Bandaoti Guangzixue yu Jishu (Yingwen))
Volume： 11  Issue： 2  Page： 81-84  Publication year： May. 2005 
JST Material Number： W1382A  ISSN： 1007-0206  CODEN： SPTEF9  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： China (CHN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： optical resonator ,  threshold ,  indium gallium arsenide ,  aluminum gallium arsenide ,  gallium arsenide ,  heterojunction ,  strained layer quantum well ,  opening ,  electric resistance ,  quantum well laser ,  DBR laser ,  *vertical cavity surface emitting laser
Semi thesaurus term： *VCSEL ,  threshold current ,  diffential resistance

JST classification (1)： Semiconductor lasers  (BD04070L)

Terms in the title (3)： 空洞共振器 ,  垂直共振器形面発光レーザ ,  しきい電流