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J-GLOBAL ID：200902212400458986   Reference number：09A0904287

Spatially resolved x-ray diffraction study of GaSb layers grown laterally on SiO₂-masked GaAs substrates

SiO₂でマスクしたGaAs基板上横方向に成長したGaSb層の空間分解X線回折研究

Author (3)： WIERZBICKA A. (Inst. of Physics, Polish Acad. of Sciences, Al. Lotnikow 32/46, 02-228 Warsaw, POL) ,  DOMAGALA J. Z. (Inst. of Physics, Polish Acad. of Sciences, Al. Lotnikow 32/46, 02-228 Warsaw, POL) ,  ZYTKIEWICZ Z. R. (Inst. of Physics, Polish Acad. of Sciences, Al. Lotnikow 32/46, 02-228 Warsaw, POL)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 106  Issue： 4  Page： 043521  Publication year： Aug. 15, 2009 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *semiconductor thin film ,  *gallium antimonide ,  epitaxy ,  substrate(plate) ,  gallium arsenide ,  compound semiconductor ,  *strain distribution ,  *X-ray diffraction ,  mask ,  silicon dioxide ,  mosaic structure ,  locality ,  *space resolving power
Semi thesaurus term： hard mask ,  lateral overgrowth

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (9)： SiO2 ,  マスク ,  GaAs基板 ,  横方向 ,  成長 ,  GaSb ,  分解 ,  X線回折 ,  研究