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J-GLOBAL ID：200902212400981646   Reference number：07A0010466

Development of a piezoelectric lead titanate thin film process on silicon substrates by high rate gas flow sputtering

高速ガス流スパッタリングによるシリコン基板上圧電性チタン酸鉛薄膜プロセスの開発

Author (6)： JACOBSEN H. (Fraunhofer Inst. for Silicon Technol. ISIT, Itzehoe, DEU) ,  JUNG Th. (Fraunhofer Inst. for Surface Engineering and Thin Films IST, Braunschweig, DEU) ,  ORTNER K. (Fraunhofer Inst. for Surface Engineering and Thin Films IST, Braunschweig, DEU) ,  SCHIFFMANN K.i. (Fraunhofer Inst. for Surface Engineering and Thin Films IST, Braunschweig, DEU) ,  QUENZER H.-j. (Fraunhofer Inst. for Silicon Technol. ISIT, Itzehoe, DEU) ,  WAGNER B. (Fraunhofer Inst. for Silicon Technol. ISIT, Itzehoe, DEU)
Material： Sensors and Actuators. A. Physical  (Sens Actuators A)
Volume： 133  Issue： 1  Page： 250-258  Publication year： Jan. 08, 2007 
JST Material Number： B0345C  ISSN： 0924-4247  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： lead titanate ,...
Semi thesaurus term： PZT

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JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (7)： ガス流 ,  スパッタリング ,  シリコン基板 ,  圧電性 ,  チタン酸鉛 ,  薄膜プロセス ,  開発