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J-GLOBAL ID：200902212406964506   Reference number：05A0752925

Electrical characterization of NiSi/Si interfaces formed by a single and a two-step rapid thermal silicidation

1段階および2段階の急速熱ケイ化プロセスによって形成したNiSi/Si界面の電気的特性評価

Author (10)： JIANG Yu-Long (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  RU Guo-Ping (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  HUANG Wei (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  QU Xin-Ping (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  LI Bing-Zong (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  AGARWAL Aditya (Axcelis Technol., Inc., MA, USA) ,  CAI Gary (Axcelis Technol., Inc., MA, USA) ,  POATE John (Axcelis Technol., Inc., MA, USA) ,  DETAVERNIER Christophe (Ghent Univ., Ghent, BEL) ,  VAN MEIRHAEGHE R L (Ghent Univ., Ghent, BEL)
Material： Semiconductor Science and Technology  (Semicond Sci Technol)
Volume： 20  Issue： 8  Page： 716-719  Publication year： Aug. 2005 
JST Material Number： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： CMOS structure ,...

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JST classification (1)： Semiconductor-metal contacts  (BM03084G)

Terms in the title (7)： 段階 ,  ケイ化 ,  プロセス ,  Si ,  界面 ,  電気的特性 ,  評価