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J-GLOBAL ID：200902212429414457   Reference number：03A0819577

Direct evidence of defect annihilation during structural relaxation of amorphous indium phosphide

非晶質りん化インジウムの構造緩和中,欠陥消滅を示す直接の証拠

Author (5)： DE M AZEVEDO G (Australian National Univ., ACT, AUS) ,  GLOVER C J (Lund Univ., Lund, SWE) ,  RIDGWAY M C (Australian National Univ., ACT, AUS) ,  YU K M (Lawrence Berkeley National Lab., California, USA) ,  FORAN G J (Australian Nuclear Sci. and Technol. Organisation, Menai, AUS)
Material： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter)
Volume： 68  Issue： 11  Page： 115204.1-115204.6  Publication year： Sep. 2003 
JST Material Number： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *indium phosphide ,...

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JST classification (1)： Structure of amorphous semiconductors  (BK04030O)

Terms in the title (5)： 非晶質 ,  りん化インジウム ,  構造緩和 ,  欠陥 ,  証拠