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J-GLOBAL ID：200902212445627053   Reference number：09A0153532

Preparation of carbon nanowall by hot-wire CVD.

ホットワイヤ化学気相堆積法によるカーボンナノウォールの作製

Author (1)： ITO TAKASHI (岐阜大 工)
Material： 応用物理  (JSAP International)
Volume： 78  Issue： 2  Page： 154-158  Publication year： Feb. 10, 2009 
JST Material Number： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *chemical vapor deposition ,  *nanostructure ,  *field emission ,  bias ,  Raman spectrum ,  semiconductor thin film
Semi thesaurus term： *carbon nanowall ,  ホットワイヤ化学気相蒸着 ,  *catalytic CVD

JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Thermoionic emission and field emission  (BM09020S)

Reference (17)：

• 1) Y. Ando, X. Zhao and M. Ohkohchi: Carbon 35, 153 (1997).
• 2) Y. Wu, P. Qiao, T. Chong and Z. Shen : Adv. Mater. 14, 64 (2002).
• 3) K.Nishimura,N.Jiang and A.Hiraki: IEICE Tarns.Electron E86-C, 821 (2003).
• 4) 堀勝, 平松美根男: 応用物理77, 406 (2008).
• 5) J. J. Wang, M. Y. Zhu, R. A. Outlaw, X. Zhao, D. M. Manos, B. C. Holloway and V. P. Mammana : Appl. Phys. Lett. 85, 1265 (2004).

Terms in the title (4)： ホットワイヤ ,  化学気相堆積 ,  カーボンナノウォール ,  作製