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J-GLOBAL ID：200902212449733079   Reference number：09A0240703

Arc Discharge Optimization to Obtain High Current Boron and Phosphorus Ion Beam from a Multi-Cusp Ion Source

複数カスプ・イオン源から大電流ホウ素およびリンイオンビームを得るためのアーク放電最適化

Author (6)： INOUCHI Y. (Nissin Ion Equimpment Col., Ltd., Shiga-ken, JPN) ,  TAKAHASHI G. (Nissin Ion Equimpment Col., Ltd., Shiga-ken, JPN) ,  DOHI S. (Nissin Ion Equimpment Col., Ltd., Shiga-ken, JPN) ,  TANII M. (Nissin Ion Equimpment Col., Ltd., Shiga-ken, JPN) ,  KONISHI M. (Nissin Ion Equimpment Col., Ltd., Shiga-ken, JPN) ,  NAITO M. (Nissin Ion Equimpment Col., Ltd., Shiga-ken, JPN)
Material： Proceedings of the International Display Workshops  (IDW)
Volume： 15th  Issue： Vol.3  Page： 1711-1714  Publication year： 2008 
JST Material Number： L4269A  ISSN： 1883-2490  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *ion implantation ,  *doping ,  arc discharge ,  optimization ,  ion source ,  plasma source ,  boron ,  phosphorus ,  thin film transistor ,  display device

JST classification (2)： Display equipment  (NC06030Q) ,  Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (6)： カスプ ,  イオン源 ,  大電流 ,  ホウ素 ,  アーク放電 ,  最適化