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J-GLOBAL ID：200902212451843400   Reference number：08A0979096

CSTBT(III) as the next generation IGBT

次世代IGBT用のCSTBT(III)

Author (3)： TAKAHASHI Tetsuo (Mitsubishi Electric Corp., Fukuoka-City, JPN) ,  TOMOMATSU Yoshifumi (Mitsubishi Electric Corp., Fukuoka-City, JPN) ,  SATO Katsumi (Mitsubishi Electric Corp., Fukuoka-City, JPN)
Material： Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs  (IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's)
Volume： 20th  Page： 72-75  Publication year： 2008 
JST Material Number： W1300A  ISSN： 1943-653X  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *power transistor ,  turn-off ,  *switching loss ,  pattern formation ,  fine patterning ,  voltage drop ,  state ,  *trench cut(processing) ,  bipolar transistor
Semi thesaurus term： on state ,  micopatterning

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (2)： 次世代 ,  IGBT