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J-GLOBAL ID：200902212467162968   Reference number：03A0528090

High-power InGaAs-on-Si pin RF photodiodes

大パワーInGaAs-on-Si pin RFフォトダイオード

Author (8)： TULCHINSKY D A (Naval Res. Lab., Washington, D.C., USA) ,  WILLIAMS K J (Naval Res. Lab., Washington, D.C., USA) ,  PAUCHARD A (Nova Crystals, Inc., CA, USA) ,  BITTER M (Nova Crystals, Inc., CA, USA) ,  PAN Z (Nova Crystals, Inc., CA, USA) ,  HODGE L (Nova Crystals, Inc., CA, USA) ,  HUMMEL S G (Nova Crystals, Inc., CA, USA) ,  LO Y H (Nova Crystals, Inc., CA, USA)
Material： Electronics Letters  (Electron Lett)
Volume： 39  Issue： 14  Page： 1084-1086  Publication year： Jul. 10, 2003 
JST Material Number： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *photodiode ,...

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JST classification (1)： Photodetectors  (NC03083X)

Terms in the title (5)： パワー ,  InGaAs ,  Si ,  RF ,  フォトダイオード