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J-GLOBAL ID：200902212473221038   Reference number：09A0062962

Electron-Microscopic Investigation of a SiC/Si(111) Structure Obtained by Solid Phase Epitaxy

固相エピタキシーによって得たSiC/Si(111)構造の電子顕微鏡研究

Author (8)： SOROKIN L. M. ,  VESELOV N. V. ,  SHCHEGLOV M. P. ,  KALMYKOV A. E. ,  SITNIKOVA A. A. ,  FEOKTISTOV N. A. ,  OSIPOV A. V. ,  KUKUSHKIN S. A.
Material： Technical Physics Letters
Volume： 34  Issue： 11  Page： 992-994  Publication year： Nov. 2008 
JST Material Number： H0665A  ISSN： 1063-7850  CODEN： TPLEED  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *epitaxy ,  *silicon carbide ,  silicon ,  *high resolution electron microscope ,  transmission electron microscope ,  substrate(plate) ,  single crystal ,  pore ,  lattice mismatch ,  relaxation phenomenon ,  interface(surface) ,  stacking fault ,  cubic system ,  prototype ,  surface ,  *layer
Semi thesaurus term： 3C-SiC ,  elastic stress

JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Microscopy determination of structures  (BK01040E)

Terms in the title (5)： 固相エピタキシー ,  SiC ,  Si ,  電子顕微鏡 ,  研究