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J-GLOBAL ID：200902212473340703   Reference number：07A0626227

Investigation of varying C₄F₈/O₂ gas ratios on the plasma etching of carbon doped ultra-low-k dielectric layers

炭素ドーピング超低κ誘電体層のプラズマエッチングに関するC₄F₈/O₂ガス比率を変えた研究

Author (2)： REID I (Dublin City Univ., Dublin, IRL) ,  HUGHES G (Dublin City Univ., Dublin, IRL)
Material： Semiconductor Science and Technology  (Semicond Sci Technol)
Volume： 22  Issue： 6  Page： 636-640  Publication year： Jun. 2007 
JST Material Number： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： carbon ,...
Semi thesaurus term： etch rate ,...

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JST classification (2)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V) ,  Applications of plasma  (BJ02110K)

Substance index (1)： Octafluorocyclobutane

Terms in the title (5)： 炭素ドーピング ,  プラズマエッチング ,  O2 ,  比率 ,  研究