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J-GLOBAL ID：200902212473761989   Reference number：06A0777222

Three-dimensional electrochemical microfabrication of n-GaAs using l-cystine as a scavenger

スカベンジャーとしてL-シスチンを用いたn-GaAsの電気化学による三次元ミクロ合成

Author (6)： ZHANG Li (Dep. of Chemistry, Coll. of Chemistry and Chemical Engineering, Xiamen Univ., Xiamen 361005, CHN) ,  MA Xingzhou (Dep. of Chemistry, Coll. of Chemistry and Chemical Engineering, Xiamen Univ., Xiamen 361005, CHN) ,  TANG Jing (Dep. of Chemistry, Coll. of Chemistry and Chemical Engineering, Xiamen Univ., Xiamen 361005, CHN) ,  QU Dongsheng (The Inst. of Robots, Harbin Inst. of Technol., Harbin 150001, CHN) ,  DING Qingyong (The Inst. of Robots, Harbin Inst. of Technol., Harbin 150001, CHN) ,  SUN Lining (The Inst. of Robots, Harbin Inst. of Technol., Harbin 150001, CHN)
Material： Electrochimica Acta  (Electrochim Acta)
Volume： 52  Issue： 2  Page： 630-635  Publication year： Oct. 25, 2006 
JST Material Number： B0535B  ISSN： 0013-4686  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium arsenide ,...
Semi thesaurus term： semiconductor element

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JST classification (3)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V) ,  Electrochemical reaction  (CB07050F) ,  Amino acids  (CF10070V)

Substance index (1)： Cystine

Terms in the title (4)： スカベンジャー ,  L-シスチン ,  GaAs ,  電気化学