Art

J-GLOBAL ID：200902212475168657   Reference number：08A1233567

Development of Laser Dicing Technology to the Next Electronic Device-Measurement and Analysis Technique on Laser Dicing Processing-

次世代電子デバイスに対応したレーザダイシング技術の開発-レーザダイシング加工面の測定・分析-

Author (7)： FUJIHARA KAZUNORI (山梨県工技セ) ,  KOMATSU TOSHIYASU (山梨県工技セ) ,  MATSUZAKA HIROSHI (塩山製作所) ,  YAMADA KOHEI (塩山製作所) ,  SATO TAKASHI (塩山製作所) ,  DOBASHI MASANORI (塩山製作所) ,  HARIMOTO TETSUO (山梨大 工)
Material： 山梨県工業技術センター研究報告  (Report of the Yamanashi Prefectural Industrial Technology Center)
Issue： 22  Page： 48-53  Publication year： Oct. 31, 2008 
JST Material Number： L0017A  ISSN： 0914-711X  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *cutting(machining) ,  laser cutting ,  machined surface ,  wafer ,  semiconductor material ,  YAG laser
Semi thesaurus term： *dicing ,  Si wafer

JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Reference (4)：

• 水野雅裕: 高性能切断加工の動向, 砥粒加工学会誌, Vol.48, No.1, p.17(2004)
• 今中治: 硬脆材料の割断加工の歴史, 砥粒加工学会誌, Vol.45, No.7, p.23(2001)
• 荒井一尚: 半導体ウェーハにおけるレーザダイシング加工, 砥粒加工学会誌, Vol.47, No.5, p.6(2003)
• 大村悦二, 熊谷正芳, 福満憲志, 他3名: 透過性パルスレーザによる極薄シリコンウェハの内部改質, 精密工学会誌, Vol.74, No.3, p.273(2008)

Terms in the title (7)： 次世代 ,  電子デバイス ,  レーザ ,  ダイシング ,  開発 ,  ダイシング加工 ,  分析