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J-GLOBAL ID：200902212475251490   Reference number：09A0533935

高周波特性に優れたPADの設計と測定

Author (4)： MAEHASHI YU (中央大 大学院理工学研究科) ,  SHIMAZAKI SATOKO (中央大 大学院理工学研究科) ,  OGINO TATSUYA (中央大 大学院理工学研究科) ,  SUGIMOTO YASUHIRO (中央大 大学院理工学研究科)
Material： 電子情報通信学会大会講演論文集  (電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集)
Volume： 2009  Issue： エレクトロニクス2  Page： 116  Publication year： Mar. 04, 2009 
JST Material Number： G0508A  ISSN： 1349-1369  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *LSI ,  interconnection ,  CMOS structure ,  *semiconductor process ,  *wiring ,  area ,  stray capacity ,  attenuation ,  HF
Semi thesaurus term： *PAD ,  parasitic capaitance ,  high frequency ,  信号減衰

JST classification (3)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T) ,  General  (NC03161C) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (3)： 高周波特性 ,  PAD ,  設計