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J-GLOBAL ID：200902212479598303   Reference number：09A0057602

Dependence of Program Efficiency on Channel Conditions Regarding NOR-Type Flash Memory Devices Fabricated on a Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate

SOI基板上に作製したNOR型フラッシュメモリ素子に関するチャンネル条件へのプログラム効率の依存性

Author (7)： CHO Seongjae (Seoul National Univ., Seoul) ,  PARK Il Han (Seoul National Univ., Seoul) ,  LEE Jung Hoon (Seoul National Univ., Seoul) ,  SON Younghwan (Seoul National Univ., Seoul) ,  LEE Jong Duk (Seoul National Univ., Seoul) ,  SHIN Hyungcheol (Seoul National Univ., Seoul) ,  PARK Byung-Gook (Seoul National Univ., Seoul)
Material： Journal of the Korean Physical Society
Volume： 53  Issue： 6  Page： 3422-3426  Publication year： Dec. 15, 2008 
JST Material Number： T0357A  ISSN： 0374-4884  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Korea, Republic of (KOR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *efficiency ,  NOR circuit ,  *flash memory ,  *SOI structure ,  doping ,  computer simulation ,  process parameter ,  MOSFET
Semi thesaurus term： *プログラム効率 ,  device simulation

JST classification (1)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T)

Terms in the title (6)： SOI基板 ,  作製 ,  フラッシュ ,  メモリ素子 ,  チャンネル ,  依存性