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J-GLOBAL ID：200902212494036273   Reference number：08A0938921

Lattice thermal conductivity of Si nanowires: Effect of modified phonon density of states

Siナノワイヤの格子熱伝導率 変化したフォノン状態密度の影響

Author (1)： LUE Xiang (National Lab. for Infrared Physics, Shanghai Inst. of Technical Physics, Chinese Acad. of Sciences, Shanghai 200083, CHN)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 104  Issue： 5  Page： 054314  Publication year： Sep. 01, 2008 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon ,  *nanowire ,  *thermal conductivity ,  *phonon ,  state density ,  group velocity ,  surface scattering ,  Boltzmann equation ,  size effect ,  semiconductor thin film ,  numerical analysis

JST classification (2)： Thermal and statistical properties of lattice vibrations  (BL03050G) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (4)： Si ,  ナノワイヤ ,  格子熱伝導率 ,  フォノン状態密度