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J-GLOBAL ID：200901097058321585   Update date: Sep. 14, 2022

Jyoji Nakata

Jyoji Nakata
Affiliation and department：
Kanagawa University Faculty of Science Department of Mathematics and Physics

About Kanagawa University Faculty of Science Department of Mathematics and Physics


Job title： Professor
Homepage URL  (1)： https://www.sci.kanagawa-u.ac.jp/math-phys/jyojin/
Research field  (2)： Quantum beam science ,  Nanostructure physics
Research keywords  (6)： Carbon nano materials ,  Silicon Semiconductors ,  Diamond semiconductors ,  ナノカーボン材料 ,  シリコン半導体 ,  ダイヤモンド半導体
Research theme for competitive and other funds  (1)：
  • 2008 - 2009 Formation of chirality-controlled SWCNT using electron-beam lithography
Papers (167)：
  • Yuhei Seki, Yasushi Hoshino, yoji Nakata. The remarkable p-type carrier transport induced by 1000C B and C ion implantation into the IIa diamond substrates followed by 1150C annealing. Abstracts of 29-th International Conference of Diamond and Carbon Materials. 2018
  • Jyoji Nakata, Ken Arai, Hideto Satou, Yuhei Seki, Ryuhei Naitou, Yasushi Hoshino. Research for Ohmic Electrode Formation of n-type Diamond Semiconductors. Science Journal of Kanagawa University 2018. 2018. 29. 19-32
  • G. Yachida, Y. Hoshino, K. Inoue, J. Nakata. The epitaxial growth of deposited amorphous Si layer on hydrogen-terminated surfaces using ion beam mixing. Abstracts of International Conference on IBMM 2018. 2018
  • G. Yachida, K. Inoue, Y. Hoshino, J. Nakata. The RBS analysis for a thin amorphous Si layer formed on clean and H-terminated Si(001) surfaces followed by medium-energy IBIEC treatments. Nuclear Instruments & Methods in Physics Research B. 2018
  • Ryuhei Naito, Yuhei Seki, Yasushi Hoshino, Yasunao Saito, Jyoji Nakata. SIMPLIFICATION OF OHMIC ELECTRODE STRUCTURE ON n-TYPE DIAMOND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE BY Ar ION IMPLANTATION. Proceedings of the 36-th symposium on ion beam technology Hosei University, December13,2017. 2018. 75-78
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Patents (38)：
  • カーボンナノチューブ製造用基材の製造方法、カーボンナノチューブの製造方法、半導体装置、及び半導体装置の製造方法
  • カーボンナノチューブ製造用基材の製造方法、カーボンナノチューブの製造方法、半導体装置、及び半導体装置の製造方法
  • アニ-ル法
  • 堆積非晶質Si層のエピタキシャル単結晶化法
  • '非晶質Si層の低温単結晶化法
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Books (1)：
  • 半導体用語辞典
    日刊工業新聞社 1999
Lectures and oral presentations  (57)：
  • Bイオンを用いたMeV級古典RBS法によるナノメートルオーダ界面揺らぎの定量解析
    (日本物理学会2017年秋季大会 2017)
  • The dependence of regrowth rate of a thin amorphous Si layer formed on clean and H-terminated Si surfaces upon interfacial H amounts using medium energy IBIEC
    (The 78-th JSAP Autumn Meeting 2017)
  • 真空一貫プロセスによる CNT 成長 用 Co ナノ粒子形成法の研究
    (応用物理学会 2015)
  • Arイオン照射によるダイヤモンド半導体用オーミック電極の形成
    (応用物理学会 2015)
  • Si基板中への高温酸素イオン注入により形成したSOI構造の評価
    (応用物理学会 2014)
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Education (2)：
  • 1974 - 1976 東京大学大学院 理学系研究科 物理学専門課程
  • 1970 - 1974 The University of Tokyo Faculty of Science Department of Physics
Professional career (3)：
  • 理学博士 (東京大学)
  • 理学修士 (東京大学大学院)
  • 理学学士 (東京大学)
Work history (12)：
  • 2003/04 - 2015/03 Professor
  • 2012/04 - 2014/03 Kanagawa University Faculty of Science, Department of Mathematics and Physics
  • 2001/04 - 2002/03 Researcher
  • 1999/06 - 2001/03 Researcher
  • 1996/07 - 1999/03 日本電信電話株式会社 基礎研究所先端デバイス研究部
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Committee career (7)：
  • 2015/04/01 - 現在 萬谷記念かながわ奨学基金 選考委員 選考委員
  • 1999/04 - 現在 学協会「ニューダイヤモンドフォーラム」 会員
  • 2004/04 - 2006/03 応用物理学会 代議員
  • 1998/07 - 1999/06 法令検討委員会 委員
  • 1996/06 - 1998/06 法令検討委員会 委員長
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Awards (2)：
  • 1989/10 - 研究開発本部長 報道特別賞 [同上]
  • 1989/10 - NTT社長表彰 [産業用超電導小型電子蓄積リング(小型SOR)開発]
Association Membership(s) (7)：
日本物理学会 ,  応用物理学会 ,  日本アイソトープ協会 ,  米国物理学会 ,  ニューダイヤモンドフォーラム ,  放射線安全管理学会 ,  日本加速器学会
※ Researcher’s information displayed in J-GLOBAL is based on the information registered in researchmap. For details, see here.

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