Art

J-GLOBAL ID：200902076477370509   Reference number：89A0079680

Transverse electron and hole transport with avalanche multiplication in semiconductor devices.

半導体素子でなだれ増倍をする電子および正孔の横方向輸送

Author (1)： KYUREGYAN A S (V.I. Lenin All-Union Electrical Engineering Inst., Moscow, SUN)
Material： Soviet Physics-Technical Physics  (Sov Phys Tech Phys)
Volume： 33  Issue： 1  Page： 103-104  Publication year： Jan. 1988 
JST Material Number： E0952A  ISSN： 0038-5662  CODEN： SPTPA3  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： PIN junction ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=89A0079680&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=E0952A") }}

JST classification (2)： 半導体-半導体接触【’81~’92】  (BM03072N) ,  Diodes  (NC03050R)

Terms in the title (6)： 半導体素子 ,  なだれ ,  電子 ,  正孔 ,  横方向 ,  輸送