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J-GLOBAL ID：200902076577635488   Reference number：90A0117989

Contactless measurements of MBE GaAs on Si by photoconductive decay method.

光導電減衰法を用いたMBE GaAs on Siの非接触評価

Author (6)： USAMI AKIRA (名古屋工大) ,  ITO AKIRA (名古屋工大) ,  TOKUDA YUTAKA (愛知工大) ,  KANO HIROYUKI (豊田中研) ,  NOGE HIROSHI (豊田中研) ,  WADA TAKAO (名古屋工大)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 89  Issue： 326(SDM89 131-142)  Page： 1-5  Publication year： Dec. 07, 1989 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： MBE growth ,...

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JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (7)： 光導電 ,  減衰 ,  MBE ,  GaAs ,  Si ,  非接触 ,  評価