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J-GLOBAL ID：200902076638104766   Reference number：92A0728458

A Study on the Self-Aligned Cobalt Silicidation and the Formation of a Shallow Junction by Concurrent Junction Process.

同時接合工程による自己整合コバルトシリサイド及び薄い接合形成

Author (3)： LEE S W (Seoul Univ.) ,  MIN K I (Seoul Univ.) ,  JOO S K (Seoul Univ.)
Material： Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. A  (Denshi Kogakkai Ronbunshi-A)
Volume： 29  Issue： 2  Page： 127-135  Publication year： Feb. 1992 
JST Material Number： H0632B  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Korea, Republic of (KOR)  Language： KOREAN (KO)

Thesaurus term： semiconductor junction ,...

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JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (4)： 接合工程 ,  自己整合 ,  コバルト ,  シリサイド