Art

J-GLOBAL ID：200902076672112387   Reference number：83A0449694

UEber die Passivierung von p-n-UEbergaengen in Silizium durch anodische Oxydation.

シリコン中のp-n接合の陽極酸化による保護

Author (3)： MENDE G (Zentralinst. Kernforschung, D.D.R.) ,  BUTTER K-D (Zentralinst. Kernforschung, D.D.R.) ,  SCHMIDT B (Zentralinst. Kernforschung, D.D.R.)
Material： Thin Solid Films
Volume： 102  Issue： 1  Page： 65-69  Publication year： Apr. 08, 1983 
JST Material Number： B0899A  ISSN： 0040-6090  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： GERMAN (DE)

Thesaurus term： silicon ,...
Semi thesaurus term： anodic oxidation

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JST classification (3)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V) ,  半導体-半導体接触【’81~’92】  (BM03072N) ,  Oxide thin films  (BK14050P)

Terms in the title (3)： シリコン ,  p-n接合 ,  陽極酸化