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J-GLOBAL ID：200902174185326837   Reference number：00A0479568

A Novel Trench DRAM Cell with a VERtIcal Access Transistor and BuriEd STrap(VERI BEST) for 4Gb/16Gb.

4Gb/16Gb用垂直接続トランジスタと埋込みストラップ(VERI BEST)を有する新しいトレンチDRAMセル

Author (9)： GRUENING U (Infineon Technol., Corp., NY, USA) ,  MANDELMAN J A (IBM Semiconductor R&D Center, NY, USA) ,  KNORR A (Infineon Technol., Corp., NY, USA) ,  DIVAKARUNI R (IBM Semiconductor R&D Center, NY, USA) ,  WELSER J J (IBM T.J. Watson Res. Center, NY) ,  FURUKAWA T (IBM Microelectronics, VT) ,  KANARSKY T S (IBM T.J. Watson Res. Center, NY) ,  ALSMEIER J (Infineon Technol., Corp., NY, USA) ,  BRONNER G B (IBM Semiconductor R&D Center, NY, USA)
Material： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (IEEE International Electron Devices Meeting)
Volume： 1999  Page： 25-28  Publication year： 1999 
JST Material Number： C0829B  ISSN： 0163-1918  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *DRAM ,...
Semi thesaurus term： memory cell ,...

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JST classification (2)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (7)： トランジスタ ,  埋込み ,  ストラップ ,  BEST ,  トレンチ ,  DRAM ,  セル