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J-GLOBAL ID：200902228469613243   Reference number：04A0836774

200V Super Junction MOSFET fabricated by Trench Filling Epitaxial Si growth

トレンチ埋め込みエピを用いた耐圧200V系スーパージャンクションMOSFET

Author (6)： HATTORI YOSHIYUKI (豊田中研) ,  NAKASHIMA KYOKO (豊田中研) ,  KUWAHARA MAKOTO (豊田中研) ,  YOSHIDA TOMOYUKI (豊田中研) ,  YAMAUCHI SHOICHI (デンソー) ,  YAMAGUCHI HITOSHI (デンソー)
Material： 電気学会電子デバイス研究会資料  (電気学会研究会資料)
Volume： EDD-04  Issue： 66-73  Page： 23-26  Publication year： 2004 
JST Material Number： Z0910A  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *MOSFET ,...
Semi thesaurus term： スーパージャンクション ,...

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JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  Thin films in general  (BK14010X)

Terms in the title (5)： トレンチ ,  埋め込み ,  耐圧 ,  ジャンクション ,  MOSFET