Art

J-GLOBAL ID：201602250324142904   Reference number：16A1405080

Bipolar resistive switching in Al/GO-PEDOT:PSS/Pt memory devices

Al/GO PEDOTにおけるバイポーラ抵抗スイッチング:PSS/Ptメモリ素子【Powered by NICT】

Author (6)： Chao Hong (Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Yuan Fang-Yuan (Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Wu Huaqiang (Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Deng Ning (Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Wang Chongjie (State Key Laboratory of Organic-Inorganic Composites, Department of Polymer Engineering, College of Materials Science and Engineering, Beijing University of Chemical Technology, Beijing 100029, China) ,  Wei Rongshan (School of Physics and Information, College of Materials, Fuzhou University, Fuzhou 350116, China)
Material： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conf Proc)
Volume： 2016  Issue： EDSSC  Page： 74-77  Publication year： 2016 
JST Material Number： W2441A  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： We propose graphene oxide (GO)...

Register(free) or Log In to access     To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=16A1405080&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=W2441A") }}

Thesaurus term： composite material ,  high speed ,  nonvolatility ,  nonvolatile memory ,  *switching ,  *memory element
Semi thesaurus term： 抵抗変化 ,  高密度 ,  抵抗メモリ ,  抵抗スイッチングメモリ ,  *抵抗スイッチング , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (2)： Pattern recognition  (JE07000S) ,  Molecular and genetic information processing  (JE15040B)

Terms in the title (7)： Al ,  PEDOT ,  バイポーラ ,  抵抗スイッチング ,  PSS ,  Pt ,  メモリ素子