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J-GLOBAL ID：201702210693861874   Reference number：17A0550009

ゲート金属残留応力がGaN HEMTの電気的特性に与える影響-TCADシミュレーションによる検討-

Author (3)： OISHI TOSHIYUKI (佐賀大) ,  YAMAGUCHI YUTARO (三菱電機) ,  YAMANAKA KOJI (三菱電機)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 64th  Page： ROMBUNNO.16a-P4-29  Publication year： Mar. 01, 2017 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2436-7613  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *residual stress ,  *gallium nitride ,  *HEMT ,  *CAD ,  simulation ,  *gate(semiconductor) ,  *metal ,  *drain(semiconductor) ,  aluminum compound ,  *leakage current ,  *current-voltage characteristic ,  heterojunction ,  interface(surface)
Semi thesaurus term： *TCAD ,  *drain current ,  AlGaN/GaN ,  gate leakage current ,  hetero-interface

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (7)： ゲート ,  残留応力 ,  GaN ,  HEMT ,  電気的特性 ,  TCAD ,  シミュレーション