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J-GLOBAL ID：201702211417671724   Reference number：17A0502280

Reduced self-heating effects in InP-based multi-finger DHBTs with Au subcollector

Auサブコレクタを用いたInP系マルチフィンガーDHBTの自己発熱効果低減に関する検討

Author (6)： SHIRATORI YUTA (NTT 先端集積デバイス研) ,  HOSHI TAKUYA (NTT 先端集積デバイス研) ,  KASHIO NORIHIDE (NTT デバイスイノベーションセ) ,  KURISHIMA KENJI (NTT 先端集積デバイス研) ,  HIGURASHI EIJI (東大 大学院工学系研究科) ,  MATSUZAKI HIDEAKI (NTT 先端集積デバイス研)
Material： 電気学会電子デバイス研究会資料  (電気学会研究会資料)
Volume： EDD-17  Issue： 42-51  Page： 43-47  Publication year： Mar. 09, 2017 
JST Material Number： Z0910A  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *indium phosphide ,  *HBT ,  *gold ,  *collector(semiconductor) ,  *heating ,  *bonding and joining ,  wafer ,  gain ,  thermal radiation ,  thermal resistance ,  current-voltage characteristic
Semi thesaurus term： *double hetero bipolar transistor ,  サブコレクタ ,  *self heating ,  *wafer bonding ,  current gain

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (7)： Au ,  サブ ,  コレクタ ,  InP ,  マルチ ,  DHBT ,  自己発熱