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J-GLOBAL ID：201702217184152329   Reference number：17A0357650

60 nm T-shaped-gate InAlN/GaN HFETs with f_T & f_(max) of 170 & 210 GHz

60NM T 形F_T & F_(MAX)は170 & 210 GHZのINALN/GAN HFETS 件である。【JST・京大機械翻訳】

Author (9)： Lv Yuanjie (Hebei Semiconductor Research Institute) ,  Feng Zhihong (Hebei Semiconductor Research Institute) ,  Zhang Zhirong (Hebei Semiconductor Research Institute) ,  Song Xubo (Hebei Semiconductor Research Institute) ,  Tan Xin (Hebei Semiconductor Research Institute) ,  Guo Hongyu (Hebei Semiconductor Research Institute) ,  Yin Jiayun (Hebei Semiconductor Research Institute) ,  Fang Yulong (Hebei Semiconductor Research Institute) ,  Cai Shujun (Hebei Semiconductor Research Institute)
Material： Hongwai yu Haomibo Xuebao  (Hongwai Yuhao Mibo Xuebao)
Volume： 35  Issue： 6  Page： 641-645  Publication year： 2016 
JST Material Number： C0174C  ISSN： 1001-9014  CODEN： HHXUEZ  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： China (CHN)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： Scaled InAlN /GaN heterostruct...

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Thesaurus term： *frequency(Hz) ,  frequency ,  mutual conductance ,  heterojunction ,  ohmic contact ,  cutoff frequency ,  frequency characteristic ,  FET
Semi thesaurus term： 飽和電流 ,  再成長 ,  サファイア基板 ,  電流利得 , 【Automatic Indexing@JST】

Author keywords (4)： InAlN /GaN ,  heterostructure field-effect transistors(HFET) ,  unity current gain cut-off frequency(f_T) ,  maximum oscillation frequency(f_(max))

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (5)： 形 ,  Max ,  GHz ,  InAlN ,  GaN