Art

J-GLOBAL ID：201702218381339281   Reference number：17A0143800

A new high speed and high efficiency GaN HEMT switching cell for envelope tracking modulators

エンベロープ追跡変調器のための新しい高速・高効率GaNH EMTスイッチングセル【Powered by NICT】

Author (6)： Disserand Anthony (Xlim Laboratory, C2S2, 123, Avenue Albert Thomas, 87060 Limoges, France) ,  Bouysse Philippe (Xlim Laboratory, C2S2, 123, Avenue Albert Thomas, 87060 Limoges, France) ,  Martin Audrey (Xlim Laboratory, C2S2, 123, Avenue Albert Thomas, 87060 Limoges, France) ,  Quere Raymond (Xlim Laboratory, C2S2, 123, Avenue Albert Thomas, 87060 Limoges, France) ,  Jardel Olivier (III-V Lab, Campus de Polytechnique 1, avenue Augustin Fresnel, 97767 Palaiseau, France) ,  Lapierre Luc (CNES, 18, Avenue Edouard Belin, 31401 Toulouse, France)
Material： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conf Proc)
Volume： 2016  Issue： EuMC  Page： 281-284  Publication year： 2016 
JST Material Number： W2441A  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： This paper presents a new high...

Register(free) or Log In to access     To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=17A0143800&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=W2441A") }}

Thesaurus term： nanosecond ,  switching circuit ,  topology ,  *modulator ,  comparator ,  *switching ,  *high speed
Semi thesaurus term： 設計手法 ,  電力損失 ,  出力電圧 ,  スイッチング周波数 ,  高電力 ,  *高効率 , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (2)： Power converters  (NB08030B) ,  Power source circuit  (NC05060Q)

Terms in the title (7)： エンベロープ ,  追跡 ,  変調器 ,  高効率 ,  EMT ,  スイッチング ,  セル