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J-GLOBAL ID：201702222946439562   Reference number：17A0095286

Electrothermal Physical Model of Millimeter Wave AlGaN / GaN HEMTs

ミリ波ALGAN/GAN HEMT熱電物理モデル【JST・京大機械翻訳】

Author (3)： He Fang (Chengdu Yaguang Electronics Co., Ltd.) ,  Dong Ruoyan (EHF Laboratory of Fundamental Science for National Defense, University of Electronic Science and Technology of China) ,  Xu Yuehang (EHF Laboratory of Fundamental Science for National Defense, University of Electronic Science and Technology of China)
Material： Bandaoti Jishu  (Semiconductor Technology)
Volume： 41  Issue： 8  Page： 604-609  Publication year： 2016 
JST Material Number： C2378A  ISSN： 1003-353X  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： China (CHN)  Language： CHINESE (ZH)

Abstract/Point： In order to accurately describ...

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Thesaurus term： *HEMT ,  circuit design ,  energy balance ,  channel ,  software ,  electric current ,  thermoelectric effect ,  *EHF wave ,  cutoff frequency ,  wave packet
Semi thesaurus term： 出力特性 ,  TCAD ,  *物理モデル , 【Automatic Indexing@JST】

Author keywords (5)： millimeter wave ,  GaN high electron mobility transistor (GaN HEMT) ,  energy balance ,  physical model ,  electrothermal effect

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (5)： ミリ波 ,  AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  物理モデル