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J-GLOBAL ID：201702225437410552   Reference number：17A0551305

界面エネルギー計算に基づくAlN(000-1)基板上のAlNおよびGaNの極性反転に関する理論的検討

Author (4)： UCHINO MOTOSHI (三重大 大学院) ,  AKIYAMA TOORU (三重大 大学院) ,  NAKAMURA KOJI (三重大 大学院) ,  ITO TOMONORI (三重大 大学院)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 64th  Page： ROMBUNNO.17p-P3-22  Publication year： Mar. 01, 2017 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2436-7613  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *aluminum nitride ,  *gallium nitride ,  compound semiconductor ,  semiconductor thin film ,  *reversal ,  *surface energy ,  band gap ,  thermal conductivity ,  *surface structure ,  *polarity ,  stability
Semi thesaurus term： surface energy ,  *polarity reversal ,  wide band gap semiconductor ,  interfacial structure

JST classification (1)： Surface structure of semiconductors  (BK15030A)

Terms in the title (6)： 界面エネルギー ,  計算 ,  AlN ,  GaN ,  極性反転 ,  理論