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J-GLOBAL ID：201702225619004209   Reference number：17A0190511

Origin of Plasma-Induced Surface Roughening and Ripple Formation during Plasma Etching of Silicon: A Monte Carlo Study

プラズマ・固体表面相互作用におけるラフネスとリップル形成機構

Author (6)： ONO Kouichi (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  HATSUSE Takumi (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  NAKAZAKI Nobuya (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  TSUDA Hirotaka (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  TAKAO Yoshinori (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  ERIGUCHI Koji (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
Material： プラズマプロセシング研究会プロシーディングス(CD-ROM)  (プラズマプロセシング研究会(CD-ROM))
Volume： 34th  Page： ROMBUNNO.18aA2  Publication year： Jan. 16, 2017 
JST Material Number： L4449B  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： plasma exposure ,  *surface roughness ,  surface quality ,  *plasma etching ,  Monte Carlo method ,  computer simulation ,  plasma simulation ,  *plasma interaction ,  molecular dynamics ,  ion scattering ,  silicon

JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (3)： プラズマ ,  固体表面 ,  相互作用