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J-GLOBAL ID：201702228966882996   Reference number：17A0548409

Cast-capping法によるペロブスカイト系半導体EL素子の開発:フェニル系カチオン

Author (3)： SASAKI FUMIO (産業技術総合研) ,  NGUYEN Van-Cao (奈良先端科学技術大学院大) ,  YANAGI HISAO (奈良先端科学技術大学院大)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 64th  Page： ROMBUNNO.15a-302-3  Publication year： Mar. 01, 2017 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2436-7613  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *perovskite type crystal ,  *organic semiconductor ,  *light emitting diode ,  cation ,  casting(metal) ,  crystal growth ,  phenyl group ,  microscopy ,  emission spectrum ,  single crystal ,  thin film
Semi thesaurus term： *perovskite structure ,  *organic EL device ,  organic cation ,  casting ,  single-crystalline film

JST classification (3)： Light emitting devices  (NC03082G) ,  Thin films of organic compounds  (BK14070L) ,  Crystal growth of organic compounds  (BK13070E)

Terms in the title (6)： CAST ,  ペロブスカイト ,  EL素子 ,  開発 ,  フェニル ,  カチオン