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J-GLOBAL ID：201702238031183482   Reference number：17A0201190

First-principle Investigations of the Electronic Structure of Bi_2Te_3 under Strain

第一原理により,BI_2TE_3材料と歪の下での電子構造の変化を研究した。【JST・京大機械翻訳】

Author (4)： Guan Jianxiang (Department of Information Technology,Yancheng Kindergarten Teachers College) ,  Chen Lei (School of Materials,China University of Mining and Technology (Xuzhou)) ,  Zhu Shize (School of Materials,China University of Mining and Technology (Xuzhou)) ,  Duan Lianwei (School of Materials,China University of Mining and Technology (Xuzhou))
Material： Chongqingshifandaxue Xuebao Zirankexueban
Volume： 33  Issue： 5  Page： 133-137  Publication year： 2016 
JST Material Number： C2799A  ISSN： 1672-6693  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： China (CHN)  Language： CHINESE (ZH)

Abstract/Point： The electronic structures of B...

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Thesaurus term： semiconductor ,  band structure ,  *first principle ,  *electronic structure ,  thin film ,  band gap
Semi thesaurus term： 間接バンドギャップ ,  直接バンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

Author keywords (4)： first-principle ,  Bi_2Te_3 ,  strain ,  electronic structure

JST classification (2)： Electronic structure of crystalline semiconductors  (BM02060N) ,  Electronic structure of crystalline insulators  (BM02070Y)

Terms in the title (4)： 第一原理 ,  歪 ,  電子構造 ,  研究