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J-GLOBAL ID：201702241272272452   Reference number：17A0550325

GaNナノコラム上InGaN/GaN単一量子井戸の構造・光学特性

Author (9)： OTO TAKAO (上智大 理工) ,  MIZUNO YUTARO (上智大 理工) ,  YOSHIDA JUN (上智大 理工) ,  YANAGIHARA AI (上智大 理工) ,  MIYAGAWA RIN (上智大 理工) ,  EMA KAZUHIRO (上智大 理工) ,  EMA KAZUHIRO (上智大) ,  KISHINO KATSUMI (上智大 理工) ,  KISHINO KATSUMI (上智大)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 64th  Page： ROMBUNNO.16p-503-6  Publication year： Mar. 01, 2017 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2436-7613  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *gallium nitride ,  *nanostructure ,  *columnar crystal ,  *indium compound ,  *gallium compound ,  *nitride ,  *quantum well ,  *diameter ,  *spectrum
Semi thesaurus term： *GAN ,  *nanocolumn ,  *InGaN ,  *single quantum well ,  *PL spectrum

JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (5)： GaN ,  ナノコラム ,  InGaN ,  単一量子井戸 ,  光学特性