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J-GLOBAL ID：201702247620178489   Reference number：17A0057827

Stability optimization of monolithic 3-D MoS₂-n/WSe₂-p SRAM cells for superthreshold and near-/sub-threshold applications

超しきい値と近/サブしきい値応用のためのモノリシック3D MoS_2n/WSe_2p SRAMセルの安定性最適化【Powered by NICT】

Author (3)： Yu Chang-Hung (Department of Electronics Engineering & Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Taiwan) ,  Su Pin (Department of Electronics Engineering & Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Taiwan) ,  Chuang Ching-Te (Department of Electronics Engineering & Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Taiwan)
Material： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conf Proc)
Volume： 2016  Issue： S3S  Page： 1-2  Publication year： 2016 
JST Material Number： W2441A  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： 2-D transition metal dichalcog...

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Thesaurus term： planar technique ,  *SRAM ,  band gap ,  *optimization ,  two dimension ,  *three dimension
Semi thesaurus term： 高密度 ,  CMOSメモリ ,  低電力化 ,  原子スケール ,  *サブ閾値 , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (2)： Electrochemical reaction  (CB07050F) ,  Secondary batteries  (YB04030K)

Terms in the title (8)： しきい値 ,  サブしきい値 ,  応用 ,  3D ,  SRAM ,  セル ,  安定性 ,  最適化