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J-GLOBAL ID：201702252835132365   Reference number：17A0495234

Study on the band engineering of epitaxial silicene through the fusion of experimental and calculation researches

実験と計算の融合によるエピタキシャルシリセンのバンドエンジニアリング研究

Author (1)： FLEURENCE Antoine (Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol.)
Material： 旭硝子財団助成成果報告書(Web)
Volume： 2015  Page： ROMBUNNO.51 (WEB ONLY)  Publication year： 2015 
JST Material Number： U0002A  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon ,  *epitaxy ,  *adsorption ,  *potassium ,  *charge transfer ,  *electronic state ,  *hydrogenation ,  zirconium compound ,  boride ,  state density ,  multilayer
Semi thesaurus term： *silicene ,  zirconium boride ,  bilayer

JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Electronic structure of crystalline semiconductors  (BM02060N)

Reference (12)：

• M. Cahangirov, M. Topsakal, E. Akturk, H. Sahin, and S. Ciraci, 2009, Phys. Rev. Lett., 102(23): 236804-236808.
• W.-F. Tsai, C.-Y. Huang, T.-R. Chang, H. Lin, H.-T. Jeng, and A. Bensil, 2013, Nat. Commun., 4: 1500-1505.
• P. De Padova, B. Perfetti, C. Olivieri, C. Quaresima, C. Ottaviani, and G. Le Lay, 2012, J. Phys.: Condens. Matter, 24: 223001-223010.
• P. Vogt, P. De Padova, C. Quaresima, J. Avila, E. Frantzeskakis, M. C. Asensio, A. Resta, B. Ealet, and G. Le Lay, 2012, Phys. Rev. Lett., 108(15): 155501-155505.
• T. Aizawa, S. Suehara, and S. Otani, 2014, J. Phys. Chem. C, 118: 23049-23057.

Terms in the title (6)： 実験 ,  計算 ,  融合 ,  バンド ,  エンジニアリング ,  研究