Art

J-GLOBAL ID：201702255084970405   Reference number：17A0550121

Enhancement of photocurrent in thin film dilute nitride cells separated by epitaxial lift-off technique

エピタキシャルリフトオフ技術により分離された薄膜希釈窒化物セルにおける光電流の増強

Author (2)： MIYASHITA Naoya (Univ. of Tokyo) ,  OKADA Yoshitaka (Univ. of Tokyo)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 64th  Page： ROMBUNNO.16p-304-2  Publication year： Mar. 01, 2017 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2436-7613  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *epitaxy ,  *fine patterning ,  pattern formation ,  *semiconductor thin film ,  *solar cell ,  *dilution ,  *nitride ,  *photocurrent ,  membrane separation ,  *compound semiconductor ,  current-voltage characteristic ,  quantum efficiency ,  gallium arsenide ,  absorption edge ,  film solar cell ,  III-V semiconductor
Semi thesaurus term： lift off ,  external quantum efficiency

JST classification (2)： Solar cell  (NC03084O) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (7)： エピタキシャルリフトオフ ,  薄膜 ,  希釈 ,  窒化物 ,  セル ,  光電流 ,  増強