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J-GLOBAL ID：201702257106082204   Reference number：17A0063599

Photo-electrochemical removal of graphene buffer layer on SiC substrate

光化学的エッチング法によるSIC基板のエピタキシャル層の除去とそのキャラクタリゼーションを行った。【JST・京大機械翻訳】

Author (6)： Sun Li (State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University) ,  Chen Xiufang (State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University) ,  Zhang Fusheng (State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University) ,  Yu Cancan (State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University) ,  Zhao Xian (State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University) ,  Xu Xiangang (State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University)
Material： Huagong Xuebao  (Kako Gakuho)
Volume： 67  Issue： 10  Page： 4356-4362  Publication year： 2016 
JST Material Number： E0215B  ISSN： 0438-1157  CODEN： HUKHAI  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： China (CHN)  Language： CHINESE (ZH)

Abstract/Point： Monolayer graphene was fabrica...

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Thesaurus term： *characterization ,  current density ,  *Photochemistry ,  optimization ,  high temperature ,  photocurrent ,  *etching ,  Raman spectroscopy ,  buffer layer ,  silicon carbide ,  Electrochemistry ,  graphene ,  X-ray photoelectron spectroscopy ,  single crystal ,  *epitaxial layer ,  modification

Author keywords (6)： graphene ,  synthesis ,  silicon carbide ,  buffer layer ,  electrochemistry ,  photochemistry

JST classification (3)： Carbon and its compounds  (YB02060D) ,  Thin films of other inorganic compounds  (BK14060A) ,  Electronic structure of crystalline semiconductors  (BM02060N)

Terms in the title (5)： 光化学 ,  エッチング ,  SiC基板 ,  エピタキシャル層 ,  キャラクタリゼーション