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J-GLOBAL ID：201702260372939344   Reference number：17A0118645

Epitaxial graphene (EG)/SiC based Schottky emitter bipolar phototransistors for UV detection and effect of hydrogen intercalation on device I-V characteristics

UV検出と効果デバイスI-V特性に及ぼす水素インターカレーションのためのエピタキシャルグラフェン(EG)/SiC基Schottkyエミッタバイポーラフォトトランジスタ【Powered by NICT】

Author (5)： Chava Venkata S.N. (Department of Electrical Engineering, University of South Carolina, Columbia, SC 29208) ,  Chandrashekhar M V S (Department of Electrical Engineering, University of South Carolina, Columbia, SC 29208) ,  Daniels Kevin M. (NRC Postdoc residing at US Naval Research Laboratory, Washington, DC 20375) ,  Barker Bobby G. (Department of Chemistry and Biochemistry, University of South Carolina, Columbia, SC 29208) ,  Greytak Andrew B. (Department of Chemistry and Biochemistry, University of South Carolina, Columbia, SC 29208)
Material： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conf Proc)
Volume： 2016  Issue： SENSORS  Page： 1-3  Publication year： 2016 
JST Material Number： W2441A  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： Wideband gap semiconductor mat...

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Thesaurus term： carrier injection ,  positive hole ,  gallium nitride ,  electronics ,  *hydrogen ,  asymmetry ,  wide band ,  *intercalation ,  semiconductor material ,  gain ,  *silicon carbide ,  *graphene
Semi thesaurus term： Schottky接合 ,  大面積 ,  *UV検出 , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (1)： Carbon and its compounds  (YB02060D)

Terms in the title (6)： UV検出 ,  I-V特性 ,  水素 ,  インターカレーション ,  エピタキシャルグラフェン ,  SiC